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型号 PHT8N06LT,135
厂商 NXP Semiconductors
描述 MOSFET N-CH 55V 7.5A SOT223
PHT8N06LT,135 PDF
代理商 PHT8N06LT,135
标准包装 1
系列 TrenchMOS™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 3.5A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 80 毫欧 @ 5A，5V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 2V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs 11.2nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds 650pF @ 25V
功率 - 最大 1.8W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA
供应商设备封装 SC-73
包装 剪切带 (CT)
其它名称 568-7369-1
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